![]() |
|
|
Аморфные металлывая намагничивания /). Кроме того, проводится отжиг в магнитном доле, приложенном в направлении, перпендикулярном оси ленты, и также снимается кривая намагничивания вдоль оси ленты (кривая намагничивания 2). Разность между энергиями намагничивания, полученными но этим двум кривым, дает энергию наведенной магнитной анизотропии1 Еи: Д S =j НсЦМ±-~М2), (5.9) о где AS— площадь, заключенная между кривыми намагничивания Mi и Mr, Ms — намагниченность насыщения; Н — напряженность магнитного поля. 5.5.3. Магнитная анизотропия, наведенная отжигом в магнитном поле Хорошо известно, что отжиг [кристаллических магнитных материалов (или их охлаждение) в магнитном поле как в случае маг-нитномягких, так и магнитножестких материалов приближает форму петли гистерезиса к прямоугольной и поэтому является эффективным способом улучшения магнитных свойств1. Кроме того, известно также, что это происходит из-за появления наведенной магнитным полем одноосной магнитной анизотропии. Проведены исследования этого вида магнитной анизотропии в аморфных сплавах [84, 89—92], в результате чего физическая сторона вопроса все более проясняется. На рис. 5.32 приведены две схемы измерения энергии наведенной магнитной анизотропии в быстрозакаленных аморфных металлических лентах. Они основаны на том, что наведенная магнитная анизотропия является одноосной. Способ, показанный на рис. 5.32, о, состоит в том, что отжиг и охлаждение .проводятся в магнитном поле, совпадающем по направлению с осью ленты, после чего измеМетод, представленный на рис. 5.32,6, носит название метода крутящего момента. Диск, вырезанный из аморфной ленты, отжигается и охлаждается в магнитном поле. Измеряется крутящий момент L при повороте такого диска по направлению магнитного поля. В случае одноосной анизотропии L можно выразить как2 Z. = 2K„sin29. (5.10) Кроме того, так как L есть производная от энергии анизотропии ?„, L(0)=d?»/de, то Еи (в) = — Ки cos1 9. (5.11) Величина, равная половине максимальной амплитуды Lm крутяще' В данном случае она представляет собой константу наведенной одноосной магнитной анизотропии Ки- Прим. ред. 2 в —угол между наведенной при отжиге в магнятиом поле осью легкого намагничивания и направлением вектора Мя, задаваемым внешним магнитным полем (см. рис, 5.32,6). Прим. ред. 151 150 го момента, выражаемого формулой (5.10), дает значение константы одноосной магнитной анизотропии Ки-Константа Ки представляет собой энергию, необходимую для поворота вектора намагниченности от оси наиболее легкого к оси наиболее трудного намагничивания. В практике определения Ки аморфных ферромагнитных сплавов используются оба эти метода. В зависимости от продолжительности и температуры отжига, скорости охлаждения, химического состава сплава измерения дают значения Ки в интервале от 0,01 до 1,0 кДж/м3. Одноосную анизотропию, характеризуемую определенным значением Ки. можно устранить нагревом до температур выше точки Кюри. Однако, если после этого провести повторную термическую обработку в магнитном поле с другим направлением, возникает новая ось легкого намагничивания и отвечающая ей одноосная анизотропия тем же значением Ки. На рис. 5.33 показано, как зависит константа одноосной магнитной анизотропии Ки от температуры отжига и его продолжительности. Основываясь на этих данных, можно заключить, что: Ки появляется только при температурах ниже точки Кюри; при высоких температурах Ки легко (т. е. за небольшое время) достигает насыщения, но при низких температурах, когда время релаксации большое, насыщения не происходит; с понижением температуры 152 значение ,Хи«, соответствующее насыщению, увеличивается [93J. Зависимость величины Кия от температуры отжига Та приведена на рис. 5.34. Видно, что появление анизотропии яри температурах ниже точки Кюри связано с термически активируемыми процессами. Причиной этого является диффузия . Из рис. 5.35 следует, что Ки подчиняется закону Аррениуса. Здесь же приведены значения энергий активации, определенные через среднее время релаксации. Полученные значения составляют ~- 1 эВ, что довольно мало по сравнению с энергией активации возникновения анизотропии Ки в кристаллических магнитных сплавах (твердых растворах), для которых получены величины 2—3 эВ. На рис. 5.36 приведены зависимости Ки от концентрации магнитных атомов в' сплавах . Приведенные значения Ки получены либо ври изотермическом отжиге в магнитном' поле, либо при очень медленном охлаждении в магнитном поле. Видно, что Ки изменяется по кривой с максимумом, причем при х = 0 или х= 1 значения Ки малы, а максимум лежит в области составов хя»0,5. 2 — 3 — (Ре^Со^аВц Si1; Неель и Танигути [94, 95] предложили теоретическую модель наведения одноосной магнитной анизотропии Ки для кристаллических твердых растворов. Мы попытаемся применить эту модель к аморфным сплавам. В основе модели Нее-ля — Танигути лежат следующие предпосылки. В ферромагнитных сплавах величина квазидиполь-ного взаимодействия между парами магнитных атомов зависит от сорта ат |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 |
Скачать книгу "Аморфные металлы" (4.28Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|