![]() |
|
|
Технология полупроводникового кремнияакой работы генератора, при которой поступающий на индуктор ток преимущественно содержит основную частоту. Особенно важно не допускать в рабочем токе индуктора высших гармонических составляющих (максимальное их содержание в токе не должно превышать 5 %). Мощность высокочастотного генератора, необходимая для проведения плавки, определяется тепловой мощностью, затрачиваемой на расплавление стержней кремния определенного диаметра, и потерями в электрической схеме генератора (к.п.д.). Зависимость тепловой мощности Р от диаметра стержня D [230] следующая: D, мм . Р, кВт . 10 0,3 20 0,8 40 2,4 60 4,7 7,6 100 11,0 120 15,0 140 19,8 160 24,4 поля индуктора и вызываемого им вторичного (наведенного) тока в зоне расплава. Разные значения поверхностного натяжения, связанные с колебаниями температуры, вызывают появление дополнительного потока, названного потоком Марангони. Подобные потоки могут вызывать дополнительные температурные колебания в расплаве и влиять на свойства кристаллов. Оборудование для индукционной бестигельной зонной плавки -это комплекс сложных, тесно взаимосвязанных систем. Установка (рис. 138) состоит из механической, вакуумной, газовой, высокочастотной и контрольно-измерительной систем. Механическая система установки обеспечивает перемещение и вращение держателей плавящегося и растущего стержней, а также индуктора. При этом узлы приводов, обеспечивающих заданные движения, должны обеспечивать высокую точность параметров как в статическом, так и в динамическом режимах работы. Кроме этого, механическая система должна исключать возможность возникновения вибрации, так как последняя приводит к значительному ухудшению процесса плавки. Вакуумная система должна обеспечивать проведение процесса плавки при давлении =5 1,33 • 10"э Па. При плавке в газовой среде в Учитывая (на основе опытных данных), что суммарно для, индуктора и системы колебательных контуров к.п.д. « 0,25, для оценки мощности генератора необходимо тепловую мощность плавки увеличить в 4 раза. Контрольно-измерительная и регулирующая системы установки являются важнейшей составной частью. С ее помощью обеспечивается требуемая точность регулируемых параметров процесса плавки. При выращивании кристаллов управляют следующими основными параметрами: мощностью, выделяемой индуктором, скоростями выращивания и вращения держателей стержня. В ходе плавки мощность может меняться из-за колебаний в питающей генератор электрической сети и изменений характеристик элементов схемы генератора. Колебания мощности приводят к возмущающим роздействиям на зону расплава и, как следствие, на параметры выращиваемого кристалла. Для исключения колебаний мощности применяют стабилизацию питающего генератор напряжения электрической сети и напряжения на индукторе. Такое же возмущающее действие на зону расплава оказывает и изменение скорости выращивания и вращения держателей кристалла. При этом изменяются высота и форма зоны расплава, форма фронта кристаллизации и плавления, потоки в зоне расплава. Промышленные ЗВ5 держателей кристалла, см; Ь - высота вакуумных уплотнений штоков, см. При выращивании монокристаллов больших диаметра и длины возникает проблема механической устойчивости кристалла на тонкой затравке. При массе кристаллов > 4 кг необходимо применять специальное устройство, поддерживающее выращиваемый кристалл. По выращивании кристалла определенной длины это устройство поднимается вдоль кристалла и своими отдельными элементами фиксирует его в вертикальном положении (рис. 140)1. Применение таких устройств позволяет получить кристаллы практически любой массы. Учитывая основное назначение процесса бестигельной зонной плавки, к выбору материала для изготовления камеры, штоков и другой оснастки, находящейся в камере, предъявляют особые требования: низкая упругость собственных паров при температуре процесса, высокая коррозионная стойкость и отсутствие ферромагнитных свойств. Кроме этого, материал камеры должен выдерживать многократные знакопеременные температурные и механические нагрузки. Это объясняется тем, что плавка проводится при ~ 1700 К. Предварительно камера перед плавкой и после нее вакуумируется и заполняется инертным газом до избыточного давления. Так как источником нагрева кремния является электромагнитное 'Пат. 235678 ГДР. 1986. Cu 4 • 10-* Ag 1 • 10"' Co 8Ю"6 Ti 3,6 • 10-' Mn 1 -10"= Au 2,5-10"3 Zn 1-10-= Cd ЬЮ-' Ог 1,25-1,40 S 1 - 10"s Se 1 • 10'a Cr 1,1-Ю"5 Та 2-10"3 Tl 1.7 -10"* С , (6-7)-Ю"2 РЬ 1,6 Ю"2 В 8-Ю"1 N 7 -10-* А1 2-Ю'3 Ga 8-Ю'3 In 4-Ю"4 Fe (8*60) 10-' Ni (8-30)-10-' Ge 3,3-10"1 P 3,5 10"1 As 3 ? 10"1 Sb 2,3-M"2 Bi 7-10"^ Li 1 • 10"2 Зависимость эффективного коэффициента распределения fc от скорости выращивания v и толщины диффузионного слоя в показана на рис. 141. Дополнительно ряд примесей, для которых упругость паров при температуре зоны расплава выше. упругости паров кремния, удаляется за счет испарения. |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 |
Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|