![]() |
|
|
Технология полупроводникового кремниявыводить примеси из системы, которые в условиях очистки выводятся с кремнийсодержащим продуктом, с другой стороны, выведение из системы кремнийсодержащего продукта снижает извлечение кремния и увеличивает поток вредных веществ на обезвреживание. Таким образом, задача сводится к тому, как вывести больше примесей при минимальных потерях кремнийсодержащего продукта. Второй фактор является крайне важным в производственных условиях, когда, не желая терять кремнийсодержащий продукт, кубовые остатки возвращают в начало процесса. В этом случае происходит экономия кремнийсодержащего продукта (три- и тетрахлорсилан), но примеси накапливаются в системе очистки. Это обстоятельство усугубляется 203 кубе колонны, отбирается из дефлегматора и поступает на тарелку другой колонны для очистки от нижекипящих соединений. Кубовые остатки, обогащенные вышекипящими примесями, отбирают в специальные емкости и передают на доизвлечение ценных компонентов или на обезвреживание. Очищенный трихлорсилан из дефлегматора поступает в сборники как целевой продукт. Кубовые остатки, обогащенные тетрахлорсиланом, полисиланхлоридвми и другими вышекипящими примесями, поступают на передел получения тетрахлорсилана. В случае, если производство трихлорсилана и поликристаллического кремния организовано на разных заводах (или удалено друг от друга на расстояние > 500-1000 м на одном заводе), перед подачей в установки водородного восстановления трихлорсилан дополнительно подвергают ректификации на двух колоннах или более. Очистка тетрахлорсилана Тетрахлорсилан получают путем ректификационной очистки кубового продукта из колонны (см. рис. 89). Кроме того, в процессе водородного восстановления трихлорсилана попутно образуется некоторое количество тетрахлорсилана, который также отделяется от трихлорсилана и в виде кубового продукта поступает на получение тетрахлорсилана. Тетрахлорсилан получают в соответствии с требованиями технических условий и используют в производстве кремнийорганических соединений1. В готовом продукте ограничивается содержание примесей, X: «5 1 ? 10"5 В и Р; « 5 • 10"' Ni, Си, Cr, Pb, Sn, Мп и Mg; « 5 • 10'5 Са и Ti; 5 • 10"6 А1; 1,5 - 10"s Fe. Тетрахлорсилан выделяется на работающих последовательно двух ректификационных колоннах с сигчатыми тарелками (рис. 90). Первая колонна служит для выделения фракции, обогащенной трихлорсила-ном, вторая - для очистки из полисиланхлоридов и других вышекипя-щих примесей. Исходный продукт из сборников подается в напорную емкость, откуда самотеком поступает на 48-ю тарелку колонны, где происходит выделение фракции, обогащенной трихлорсиланом. Эта фракция отбирается из дефлегматора и подается на колонну для доизвлечения трихлорсилана. 1 После дополнительной очистки такой тетрахлорсилан может в™ ,„«•»•» „«„.,. — для производства полупроводникового кремния. использован Даровая фаза из куба подается на холодильник, где конденсируется жидкий продукт, который после конденсации поступает на 24-ю тарелку 43 На утилизацию (потребителю) Тетрахлорсилан, полисиланхлориды на утилизацию {потребителю! Ряс 90. Апгаратурно-технологическая схема очистки тетрахлорсилана: J, 4 — ректификационные колонны очистки от трихлорсилана и от вышекипящих примесей соответственно; 2 — дефлегматоры; 3 — холодильник; 5 - кубы-испарители колонны, служащую для очистки тетрахлорсилана с целью получения товарного продукта. Чистовой продукт отбирается из дефлегматора и поступает на склад готовой продукции. Кубовые остатки колонн отбираются и в дальнейшем поступают на операцию нейтрализации известковым молоком. Образующиеся в процессе получения и очистки три- и тетрахлорсилана жидкие отходы подвергаются утилизации на отдельной колонне ректификации с целью отделения смеси три- и тетрахлорсилана от полисиланхлоридов и других высококипяцщх примесей, входящих в . состав кубовых остатков. Смесь трихлорсилана с тетрахлорсиланом отбирается из дефлегматора и передается на колонну, а кубовая жидкость, в которой сконцентрировались полисиналхлориды и высококипящие примеси, направляется на нейтрализацию известковым моло- А ком. I 206 Технология очистки моносилана ректификацией В литературе [117, 124] подробно описаны условия работы и конструкция ректификационных колонн для очистки моносилана методом низкотемпературной ректификации. Моносилан эффективно очищается от углеродсодержащих примесей и целого ряда неорганических веществ. Наиболее трудноудаляемыми примесями являются этилен и диборан, имеющие при температуре кипения моносилана а = 1,26+0,09 и 1,3±0,20 соответственно. Большинство примесей образуется в результате побочных реакций, сопровождающих реакцию диспропорциони-рования триэтоксисилана. В работе [125] сообщено о глубокой очистке моносилана методом ректификации и экспериментально определены коэффициенты разделения разбавленных растворов СН4, С2Н4, С3Н8, CH3SiH3, РН3, AsH3, H2S и НС1 в моносилане. В [126] приведен анализ работы ректификационной колонны и описаны некоторые особенно |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 |
Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|