![]() |
|
|
Технология полупроводникового кремниятандартами величина отклонения плоскости торцевого среза от заданной ориентации должна составлять * 3*. Определение кристаллографических индексов плоскости торцевого среза (и, естественно," отклонения от заданной ориентации) осуществляется оптическими и рентгеновскими методами. При использовании оптического метода торец монокристалла травят в растворе щелочи. из от заданной кристаллографической плоскости. Ориентацию монокристаллов оценивают по максимальному отклонению утах. Для этого на торцевую поверхность монокристалла наносят две взаимно перпендикулярные оси X и Y. Монокристалл устанавливают так, чтобы ось X была параллельна оси гониометра. Затем монокристалл поворачивают вокруг оси X на угол 8hfc; и, поворачивая его относительно этого положения, находят максимум отражения и регистрируют угол А1 по шкале гониометра. Повернув монокристалл вокруг оси на 180 °, таким же образом находят угол А2. Затем устанавливают монокристалл так, чтобы параллельной оси гониометра стала ось У, и, выполнив те же операции, находят значение углов Јj и Б2. После этого находят угол разориенти-ровки а (в плоскости, перпендикулярной оси X) и угол В (в плоскости, перпендикулярной оси У):а=(А1~ А2)/2; В »(Б1 - Б2)/2. Если углы я и В составляют < 7°, то ?тах = \/а*+ В2 . При отклонении > 7°: ymax = arctg v tg2 а + tg2 6 . (Ш) 14"13' При контроле монокристаллов кремния обычно используют рентгеновскую трубку с медным анодом (Cu-иэлучение, к « 1,54 • 10"1 нм). Для этих условий углы отражения &hkl имеют следующие значения: Ш. (110) (100) (211) (013) чш »и 23°38' 34°33' 44-00' 65°45' Погрешность измерения рентгеновским методом "S 20'. Дефекты структуры Первоначально в монокристаллах кремния контролировали только нарушения монокристалличности (образование двойников), затем плотность и распределение дислокаций и, наконец, начали контролировать плотность и распределение микродефектов в беэдислокационных монокристаллах. Нарушение монокристалличности можно обнаружить визуально по изменению отражения света тех участков поверхности монокристалла, где появились двойники. Однако часто оксидная пленка на поверхности монокристалла затрудняет выявление этого вида дефекта. В этом случае пленку снимают травлением в смеси фтористоводородной и азотной кислот в соотношении 1 : (2-4). После травления четкость выявления нарушений монокристалличности резко повышается. Плотность и распределение дислокаций выявляют методом избирательного травления. Как уже указывалось, в месте выхода дислокационной линии на поверхность образуется ямка. Обычно используют травитель, состоящий из смеси фтористоводородной кислоты и водного раствора хромового ангидрида в соотношении 1:1. Плотность ямок травления подсчитывают с помощью микроскопа; характер распределения определяют визуально. При выявлении дислокаций методом избирательного травления следует иметь в виду, что при оседании примесей на дислокации могут существенно изменяться ее энергия и связанный с ней электрохимический потенциал в месте выхода дислокации на поверхность. При этом изменение может быть таким, что ямка при травлении в выбранной смеси кислот образовываться не будет [59]. Поэтому при коренных изменениях технологии кремния, связанных с варьированием состава и концентрации примесей, следует, пойимо метода травления, использовать рентгенотопографический метод. Только убедившись, что плотность дислокаций, выявленных рентгеновским способом, совпадает с таковой, выявленной травлением, можно пользоваться последним методом. Если такового совпадения не получено, следует перейти к опробованию других травителей. Состав травителей для выявления структурных дефектов в монокристаллах следующий: Медленное химическое полирование. Выявление дислокаций, двойников и р—л-переходов Выявление дислокаций на плоскостях (111), (110), (100). Выявление микродефектов Выявление дислокаций и микродефектов на плоскости (111) Выявление дислокаций и микродефектов; наилучшие результаты для поверхностей с ориентацией (100) Выявление дислокаций и микродефектов на плоскостях (111) Состав травителя и соотношение компонентов HN03 + HF + CHaC00H; 5:3:3 (СР-4А) [60] HN03+HF + CH3COOH; 3:1:10 (травитепь Дзша) [60] HF + водный раствор СгОз (250-300 г/л); 1:1 (траншей, Сиртла) [58] HF + К3Сг307; 2:1 (травитель Секко) [58] HF + HN03 + СгОэ+ Cu(N03)2 ? ЗНгО + + СНзСООН + НаО 2:1:1: (2 г): 2:2 (травитель Райта)[58] HF + HN03; 100 : (0,1-0,5) [60] HF + водный раствор СгОз (250-300 г/л); 3 :4 HF + водный раствор СгОэ (1200 г/л); 1: 4 HF + водный раствор СгОз (300 г/л) +НгО; 3:2:3 HF + HN03; 155 :1 (травитель Шимшеля) [60] Окрашивающий травитель. Выявление р- и п-областей; материал р-типа темнеет больше, чем материал л-типа Выявление микродефектов на плоскости (111) То же, на плоскости (100) То же, на плоскости (013) Выявление дислокаций и микродефектов в монокристаллах р-типа Наиболее распространенное распределение дислокаций в поперечных! сечениях монокристаллов кремни |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 |
Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|