![]() |
|
|
Технология полупроводникового кремния,6 9,8 10 11 12 13 1,85 • 10" 1,79 • 10" 1,75 • 10" 1,70 • 10" 1,66' 1,61 • 1,571,53 ? 10" 1,49 • 10" 1,43 ? 10" 1,43 ? 10" 1,40 • 10" 1,37 • 10" 1,34 ? 10' 1,31 • 10' 1,28 • 10' 1,17 ? 10' 1,07 • 10: 9,86 • 10 0,9 5,94 •10" 1,0 5,29 •10" 2,0 2,52 10" 3,0 1,65 10" 3,2 1,54 10" 3,4 1,45 10" 3,6 1,37 10" 3,8 1,29 10" 4,0 1,22 10" 4,2 1,16 10" 4,4 1,11 10" 4,6 1,06 10" 4,8 1,02 10" 5,0 9,74 10" 5,2 9,36 10" 5,4 9,00 10" 5,6 " 8.67 10" 5,8- 8,37 10" 6,0 8,08 10" 6,2 7,81 - 10" 6,4 7.56 - 10" 6,6 7,33- 10" 6,8 7,11 ? 10" 7,0 6,90 ? 10" 15 3,18 • 10" 16 2,98 • 10" 17 2,80 • 10" 18 2,64 • 10" 19 2,50 • 10" 20 2,38 • 10" 25 1,89 ? 10" 30 1,58 • 10" 35 1,35 • 10" 40 1,18 • 10" 45 1,05 • 10" 50 9,45 • 10" 55 8,59 • 10" 60 7,87 ? 10" 65 7,26 • 10" 70 6,74 • 10" 75 6,29 • 10" 80 5,89 ? 10" 85 5,54 • 10" 90 5,24 • 10" 95 4,96- 10" 100 4,71 • 10" 0,8 1,81 ?10" 0,9 1,59 •10" 1,0 1,41 •10" 2,0 6,75 10" 3,0 4,42 10" 3,2 4,13 10" 5-4 3,88 10" 3,6 3,66 10" 3,8 3,46 10" 4,0 3,28 10" 4,2 3,12 10" 4,4 2,97 10" 4,6 2,84 10" 4,8 2,72 10" 5,0 2,61 10" 5,2 2,52 10" 5,4 2,41 10" 5,6 2,32 10" 5,8 2,24 10" 6,0 2,16 10" 6,2 2,09 10" 6,4 2,03 10" 6,6 1,96 10" 6,8 1,90 10" 14 9,15 10" 15 8,53 10" 16 7,99 10" 17 7,52 10" 18 7,09 10" 19 6,71 10" 20 6,38 10" 25 5,09 10» 30 4,24 10" 35 3,63 10" 40 3,17 10" 45 2,82 10" 50 2,54 10" 55 2,30 10" 60 2,11 10" 65 1,95 10" 70 1,81 10" 75 1,69 10" 80 1,58 10" 85 1,49 10" 90 1,41 10" 95 1,33 - 10"100 1,26 10" направления его движения. В результате движущиеся через образец носители заряда будут отклоняться от направления движения тока /, что приводит к появлению на верхних и нижних гранях образца поперечного электрического поля. Известно, что на движущийся со скоростью v в магнитном поле и заряд величиной е действует магнитная сила FH = evH. Под действием этой силы носители заряда в зависимости от знака будут отклоняться до тех пор, пока электрическая сила Fx = еЕх не уравновесит магнитную, т.е. е?х = evH. Умножим обе части этого равенства на число носителей заряда п, находящихся в 1 см3: enEx = envH. (12) Произведение env - плотность тока, которую можно определить как i-1/bd, (13) где Ь, d- ширина и высота образца (см. рис. 41, а). Тогда из выражений (12) и (13) получим <"> Но так как напряженность поперечного электрического поля равна разности потенциалов между точками А и В образца (рис. 41, а), приходящейся на единицу его высоты d, т.е. Ех = (Vx/d)b, то холловское напряжение будет определяться как ел ?> В уравнениях (14) и (15) величина 1/еп называется коэффициентом Холла: Rx = С(1/еп) или 103 п-C.'-V-, <16) где С - коэффициент, называемый холл-фактором (точное определение его в слабых магнитных полях представляет трудную задачу); для многих полупроводников, в том числе и кремния, принимают С = 1. При измерениях в средних и сильных полях Дх имеет отрицательное значение для электронного полупроводника и положительное для дырочного. Таким образом, экспериментальное определение эффекта Холла, помимо знака заряда (типа электропроводности), соответствующего знаку коэффициента Холла (рис. 41, б, в), позволяет определить концентрацию зарядов и их подвижность. Для этого преобразовав выражения (10) и (16), получим при С= 1 цх = Яхп см2/(В - с), где Их - холловская подвижность. Величина Их зависит от температуры (рис. 42) [55]. С уменьшением концентрации бора увеличивается подвижность. Температурная зависимость концентрации носителей заряда, полученная из холловских измерений при 4-300 К, позволяет определять энергию ионизации основной легирующей примеси, по ее величине произвести идентификацию примеси [55], а также определить степень компенсации примесями, имеющими заряд противоположного знака. Определение типа электропроводности Тип электропроводности легированных монокристаллов кремния определяют методом термоэонда для монокристаллов с (УЭС) < < 500 Ом • см и методом точечно-контактного выпрямления для монокристаллов с УЭС > 500 Ом • см. Физическая сущность метода термозонда заключается в определении полярности т.э.д.с, возникающей между нагретой и холодной областями полупроводника, с помощью чувствительного нуль-индикатора (рис. 43). Если зонд находится при более высокой температуре, чем пластина, то в случае возникновения разности потенциалов, как показано на рис. 43, стрелка нуль-индикатора отклоняется вправо. Это свидетельствует о том, что кремний имеет р-тип электропроводности. Если влево, /?-тип. Выпрямляющие свойства контакта металл - полупроводник определяются типом носителей заряда в полупроводнике. Метод точечно-контактного выпрямления основан на качественном сравнении сопротивлений точечного контакта металл - полупроводник при различных полярностях приложенного напряжения. Тип электропроводности 104 Рис. 41 Влияние температуры на холловскую подвижность для обр |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 |
Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|