![]() |
|
|
Технология полупроводникового кремния(я • 10"э) при Гпл, Нем"1 7,20:7,36 Коэффициент линейного расширения, К"1.. 2,33 • 10"* Давление паров при Тщ,, Па 3,7 • 10~2 Кинематическая вязкость при Тпл, см"2 х хс-' 0.003S; 0,0106 Теплопроводность при Тпя, Вт ? см"1 • К"': жидкого 0,67 твердого 0,31; 0,216 Теплопроводность при 298 К, Вт • см"1 • К"1 . 0,084; 0,062; 0,836; 1,85; 1,60; 1,09 Электрическое сопротивление (р • 10"3) при Тпл, Ом ? см: жидкого 0,081 твердого 2,350 Теплоемкость, Вт • с • г"1 - К"1: жидкого при Тщ, 9,86; 31,1 твердого при 298 К 0,467; 0,758 Предел прочности монокристалла, МПа: иа сжатие 480-548; 96 на изгиб 120-130; 68,5-340 на разрыв 176 Для монокристалла с собственной проводимость» при 298 К: УЭС, Ом-см (24-28)10* количество носителей, ем"3. ...... 1,27 ? 1010; 1,5 -10'° подвижность, смг/(В • с): электронов 13501100 дырок 480+15 Ширина запрещенной зоны при 300 К, эВ ... 1,1 Диэлектрическая проницаемость 12 Магнитная восприимчивость прн: ШОК 0,64 1688 К 0,46 Коэффициент преломления при длине волны, мкм: 1,05 3,565 2,6 3,443 2-10 3,5 Отраж ательиая способность при длине во лны > 1,5 мкм 0,3 Твердость: -. по Бринеллю, ГПа ^ поМоосу 7,0 Модуль упругости 108,9 , Коэффициент сжимаемости, Па"1 3,3 -10~13 Энергия связи между атомами, кДж/моль.. 176 В химических соединениях кремний четырехвалентен. Кремний устойчив ко многим кислотам, нерастворим в воде, легко растворяется в горячих растворах щелочей, растворяется также в смеси фтористоводородной и азотной кислот. Почти со всеми металлами кремний образует силициды. Окисление кремния заметно с 700 К, при этом плоскости (111) окисляются быстрее, чем (100), что связано с большей поверхностной плотностью атомов на плоскости (111). Механические свойства кремния достигают максимальных значений для направлений (111). При температурах > 1000 К кристаллы кремния могут пластически деформироваться. Обнаружено [54], что при увеличении давления и температуры наблюдается для чистого кремния фазовый переход от кубической структуры алмаза к тетрагональной центрированной решетке белого олова, а затем и к гексагональной. Кремний обладает характерным блеском полированных металлов, что обусловлено его высокой отражательной способностью. В видимой' 94 области спектра он сильно поглощает свет (коэффициент поглощения ~ 10s см"1). В инфракрасной области спектра кремний практически прозрачен (для довольно широкого диапазона длин волн в этой области коэффициент поглощения > 0,1 см"1)- Растворимость ряда примесей в кремнии иллюстрирует рис. 37 [8]. Качество монокристаллов кремния, используемых для производства приборов, оценивается по существующим стандартам и техническим условиям следующими параметрами: типом электропроводности; величиной и однородностью распределения УЭС; временем жизни неравновесных носителей заряда; подвижностью и концентрацией носителей заряда; кристаллографическим направлением, по которому выращен монокристалл (ориентация); структурными дефектами; концентрацией примесей. г. ПАРАМЕТРЫ К МЕТОДЫ ИХ ОПРЕЛЕЛВННЯ Основы электрической проводимости полупроводников, подвижность и концентрация носителей заряда Как уже отмечалось, связь между атомами в кристаллах кремния носит ковалентный характер и осуществляется двумя коллективизированными валентными электронами (см. рис. 3, г), находящимися энергетически на наиболее низком для данной пары электронов квантовом уровне. При 0 К все валентные электроны участвуют в связях и поэтому электропроводность будет равна нулю. При описании . электрической проводимости полупроводников вообще и кремния в частности удобно пользоваться понятием энергетических зон, связанных с энергетическим состоянием электронов в кристалле. Зоны получили названия разрешенной зоны проводимости и запрещенной зоны. Разрешенная зона представляет собой совокупность энергетических зон, возникающих при объединении атомов в кристалл и образующих сплошную полосу, внутри которой электроны могут занимать любой уровень. В соответствии с принципом Паули на одном энергетическом уровне может находиться не более двух электронов одновременно. Разрешенная зона, образованная энергетическими уровнями валентных (осуществляющих химическую связь) электронов, называется валентной зоной. Выше валентной зоны Ш (рис. 38, а) располагается зона проводимости /, Если электрон имеет энергию, соответствующую этой зоне, он будет участвовать в электрической проводимости. Валентная зона и зона проводимости разделяются запрещенной . зоной И, в которой электроны находиться не могут (см. рис. 38, о). Величина или ширина A Eg запрещенной зоны является одним из важ-96 I нейших параметров, характеризующих полупроводниковые свойства I вещества. Как видно из данных, приведенных на с 94, для кремния | ДЕ^составляет 1,1 эВ. При температуре Т > 0 К за счет флуктуации теплового движения атомов часть электронов получит дополнительную энергию, достаточную для раз |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 |
Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|