![]() |
|
|
Технология полупроводникового кремния, 0,5 - Ю-4 Оксид азота (ЙаО).. 0,5 • 10"4 Ксенон (Хе) 0,08 • 10'4 Озон (03) 0,04 • 10"4 99,9999* Радон (Rn) 6 • 10-" * Остальное — пыль, промышленные газы. Всего 99,9999* Общее оценочное количество в атмосфере, т 3940,19 - UU 1177,18 • 1В" 65,19 • 10" 2,34 • 10" 63,56- 10' 3,66 • 10» 6,51 -10' 4,07-10» 16,72-10' 0,18 ? 10' 4,07 ? 10' 1,83 • 10' 0,05 • 10' 3,6 • 10"э 50,85 • 10" Выбор того или иного метода тонкой очистки водорода определяется конкретными условиями и задачами производства и осуществляется на основании технологического опыта изготовления полупроводникового кремния, а также исходя из метода получения водорода. Получение* высокочистого азота Азот - наиболее распространенный газ в производстве полупроводникового кремния. Он применяется для продувки технологических аппаратов; его используют для обеспечения пожаровзрывобезопасности производства. В жидком виде азот используют в качестве хладагента при производстве хлорсиланов, для конденсации абгазов процесса водородного восстановления хлорсиланов, при низкотемпературной ректификации силана и др. Для производственных целей азот получают обычно из воздуха, который является практически неисчерпаемым источником многих 344 технических газов. Состав сухого атмосферного воздуха приведен в табл. 12. Азот из воздуха выделяют на воздухораэделительных установках (ВРу), где вначале сжижают воздух, а затем при криогенных температурах проводят его ректификационное разделение, как правило, в аппарате двукратной ректификации [273]. Схема получения азота на возду'хоразделительной установке приведена на рис. 160. Атмосферный воздух, предварительно очищенный от технических примесей и сжатый в компрессоре 3 до давления 7 МПа, охлаждается в конденсаторе влаги 2 до температуры 280 К и через влагоотделитель I поступает в один из адсорберов блока комплексной очистки 5, где осушается до содержания водяных паров 2,24 • Ю-6 кг/м3 (точка росы 204 К) и очищается от диоксида углерода, углеводородов и других вредных примесей. В качестве адсорбентов в блоке очистки используют обычно цеолиты (молекулярные сита) типа NaX. После блока очистки поток воздуха, 12-214 345 пройдя фракционный 6, азотный 7 и детандерный 9 теплообменники с температурой 160 К, частично (~ 30-40 % потока) направляется на турбодетандер 8, где охлаждается до 115 К и далее смешивается с основным потоком, который после теплообменника 10 через дроссельный вентиль Р - 1 в виде паро-жидкостной смеси под давлением 1,5 МПа поступает в куб нижней ректификационной колонны 14. • В кубе ректификационной колонны происходит разделение паро-жидкостной смеси на жидкий воздух и пар, обогащенный азотом. Пар поднимается вверх по ректификационной колонне, где происходит собственно ректификация. В верхней части накапливается чистый азот, который конденсируется в трубной части конденсатора 11. Часть жидкого азота из конденсатора используется для орошения нижней части колонны, а часть через дроссельный вентиль Р - 2 поступает на верхнюю тарелку верхней ректификационной колонны 12 и используется там в качестве флегмы для орошения. Жидкий воздух из куба нижней колонны через дроссельный вентиль Р-3 подается на шестую тарелку верхней ректификационной колонны 346 а Ряс 161. Схема установки для тонкой очистки азота; Т - контроль температуры ж. Такой азот повсеместно используют для продувок технологических аппаратов, для производства изделий из нитрида кремния и т.д. Вместе с тем в производстве некоторых полупроводников и отдельных марок кремния необходим азот еще большей степени чистоты, которую можно обеспечить, применяя специальные методы очистки. Установка тонкой очистки азота (рис. 161) состоит из блоков химической / и адсорбционной 2 очистки. В блок химической очистки входят две реакционные колонны, заполненные гранулированным никелем и медью. Перед эксплуатацией колонны предварительно регенерируются водородом или смесью водорода и азота при ~ 473-573 К. Во время эксплуатации одна из колонн используется для очистки, другая регенерируется. В блок адсорбционной очистки входят две адсорбционные колонны, заполненные цеолитом и активированным углем. Одна из колонн находится в режиме очистки, другая регенерируется. При поступлении азота в реакционную колонну происходит его очистка от примесей кислорода и оксида углерода: Ni + 1/202 - NiO; NiO + СО - № + С02. Далее в адсорбционной колонне влага и диоксид углерода адсорбируются молекулярными ситами и активированным углем. В результате удается получить азот, содержащий: Азот (неменее),» 99,999» Микропримеси (не более), pvmV, в том числе:0,05 -0,01 пары воды 0,6 0,1 кислород диоксид углерода углеводороды ... Получение и очистка кислорода Кислород в технологии полупроводникового кремния используют при получении синтетических кварцевых тиглей и для других целей. В промышленности кислород получают двумя способами: электролизом воды и ректификацией воздуха. Эти способы уже рассмотрены ранее. Допуск |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 |
Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|